公司动态

服务多重电▽子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽●约证券交易所代码:STM) 推出★了一个新系列—— 氮化镓(GaN) 功率半导体。该系列产』品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类※电子产品︾的内置电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等家电。消费电子产品内置㊣　电源的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电≡机、太阳№能逆变器、电动汽车及其充电设施。

意法半导体汽车与分立器件》产品部副总裁、功率晶体管事业部经理Edoardo Merli 表示：“基于 GaN 的产品商用是功率半导体◇的下一个攻坚阶段，我们已准备好释放这一激动↑人心的技术潜力。今天，ST 发布了STPOWER 产①品组合的新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源带来突破卐性的性能。我们将逐步扩大 PowerGaN 产品组合，让任何地方的客户都能设计更高效、更小的◥电源。”
技术细节

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙复合半导体材料，电压耐受能力比传统硅材料高很多，而且不会影响导通电阻性能，因此可以降低导通损耗。此外，GaN产品的开关能效也比硅基晶体管①高，从ㄨ而可以取得非常低的开关损耗。开关频率更∑高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无♀源器件。所有这些优点让设计人员能够减少功率变换器○的总损耗←（减少热量），提高能效。 因此，GaN 能更好地支持电子产品轻量化，举例来说，与目前随处常见的充电器相比，采用GaN 晶体管的PC机电源〗适配器更小、更轻。

据第三方测算，在使用GaN器件后，标准手机充电器最多可瘦¤身40%，或者在相同尺寸条件下输出更大的功率，在能效和功率密度方面也可以取得类似的性能提升，适用于消费、工业、汽车等各种电子产品。

作为意法半ω导体新的G-HEMT 晶体管产品家族的首款产品，650V SGT120R65AL具有 120m?的最大导通电阻 (Rds(on))、15A 的最大输出电流和♂优化栅极驱动的开尔文源极引脚。该产品目前采用行业标Ψ 准的 PowerFLAT 5×6 HV 紧凑型贴装封装，其典型应用是PC适配器、USB壁式充电器和无线充电。

正在开发的 650V GaN 晶体管现在有工程样品提供，其中120m? Rds(on)的 SGT120R65A2S采用2SPAK™高级层压封『装，取消了引线键合工序，提高ζ　了大功率高频应用的能效和可靠性，SGT65R65AL 和 SGT65R65A2S的导通电阻都是65m? Rds(on)，分别采用PowerFLAT 5×6 HV 和 2SPAK封装。这些产品预计在 2022 年◇下半年量产。

此外，G-FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5×6封装，导通电阻为250m? Rds(on)，将于 2022 年第三季度提供样品
G-FET™ 晶体管系列是一种非常快、超低 Qrr、稳健的 GaN 共源共栅∩或 d 模式 FET，带有标准硅栅极驱动，适用于各种电源设计。

G-HEMT™ 晶体管系▅列是一种超快、零 Qrr 的增强模式 HEMT，并联简易，非常适合频率和功率非常高的应用。

G-FET 和 G-HEMT 都属于 STPOWER 产品组合的 PowerGaN 系列。

更多信息，请访问 www.st.com/gan-transistors 及 www.st.com/gan-hemt-transistors.

关于意法半导体
意法半导体拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和卐先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴一起︾研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们⌒　更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和▂能源管理更高效，物联网和5G技术应用更广◤泛。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com。